마이크로 LED에 관하여...

칩 크기, 5 ~ 100 마이크론 정도

넒은 동작온도 범위, -2-도~120도...

현재의 백플레인은 Si wafer위의 CMOS... 비용 문제... 면적, 유연성 문제 등...

TFT 기반 AM 구동 개발 중... 공정 비용은 낮고, 유연 기판에도 적용이 가능하나... 낮은 전하 이동도, 전류 밀도 충족이 관건...

산화물 TFT나 LTPS가 가능... 이에 더하여...

LTPO(LTPS + Oxide) = LTPS PMOS TFT 공정 후에 Oxide NMOS TFT 공정을 수행...

회로부는 LTPS TFT, 화소부의 스위칭 소자로는 Oxide TFT  사용 등등...

OLED는 전류량으로 계조를 조절, PAM 방식

단, 마이크로 LED의 경우, 전류량이 변하면 발광 파장도 변함...

따라서 동일 전류량에서 발광 시간을 조절하는 방식으로 계조를 표현... PWM 방식...

다음으로 전사 방식에 관하여~

face-up 방식, p와 n형 전극이 기판과 반대쪽을 향함

face-down 방식의경우, 같은 쪽을 향함...

전사 기술의 일례들... 정전기력 이용, 레이저의 선택적 주사, 속도나 하중 의존적인 점착력 이용

QD 기술과의 융합

QD, 1980대초 등장

지름 10 마이크론 이하, 양자 구속 효과, 주로 CdSe, InP 등...

QD-마이크로 LED, PL 방식의 적용

UV-마이크로 LED + RGB QD, Blue-마이크로 LED + RG QD...