반도체 공정에서 마스크(mask)는 사진 식각 공정에서 사용하며, 석영이나 유리와 같은 투명한 기판 위에 레이 아웃된 패턴들이 그려져 있습니다. 즉, 포토 공정마다 해당되는 마스크를 감광제가 코팅된 웨이퍼 위에 정렬하고 노광 후 현상, 식각을 하여 웨이퍼 위의 박막이나 구조들을 패터닝 하죠. 이는 감광 물질이 도포된 기판에 패턴을 묘사할 수 있게 해준다는 점에서 사진의 필름과 유사한 역할을 한다고 볼 수 있습니다. 간단한 소자인 경우에는 몇 장 정도의 마스크로 만들어지지만, 회로가 복잡해질수록 마스크의 수도 증가하여 많게는 수십 장의 마스크들이 집적회로의 제작에 사용되고 있습니다.
마스크를 제조하기 위해서는 먼저, 투명한 석영 기판에 크롬과 같은 금속 박막을 코팅하고 감광제를 도포한 뒤, 레이저 빔이나 전자선으로 CAD 패턴을 묘사하고 크롬을 선택적으로 식각, 제거하여 원하는 패턴을 형성합니다. 이를 바로 마스크로 사용할 수도 있지만, 일반적으로는 레티클로 사용하죠. 레티클은 실제 원하는 패턴보다 10배 정도 큰 패턴이 먼저 만들어진 판으로, 이를 10분의 1로 축소한 패턴을 마스크 기판 위에 반복적으로 전사하여서 마스크 원판을 만들어가는 중간 과정입니다. 최종적으로는 웨이퍼 위에 만들고자 하는 패턴과 일대일로 대응되는 패턴이 형성된 마스크가 만들어지죠.
이와 같이 CAD 시스템으로부터의 데이터가 전자선의 움직임을 제어하면서 마스크 원판 위에 묘사하는 공정은 클래스 100 수준의 고청정, 노란색 조명 아래에서 이루어집니다. 노란색 빛은 감광제에 영향을 주지 않기 때문이죠.
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