박막 트랜지스터 이야기

MOSFET

기판이 단결정 실리콘, 채널-inversion layer

TFT

절연 기판 (유리, 플라스틱 등), 채널-accumulation layer

게이트 전극에 전압 인가, 캐리어 축적, 채널층 형성

전달 특성과 출력 특성

on/off ratio; 드레인 전류의 최대값과 최소값의 비

문턱 전압; 소스와 그레인 전극 간에 채널이 형성될 때 게이트 전압의 값

subthreshold swing; 전달 특성을 로그 스케일로 표현, 드레인 전류의 변화에 따른 게이트 전압의 변화

(혹은 드레인 전류가 열배 증가할 때, 게이트 전압의 변화)

LTPS-TFT

결정화, 높은 에너지를 좁은 영역에 순간적으로 집중

단파장으로 출력이 높은 엑시머 레이저 사용 (XeCl, 308nm 파장),

기체 레이저로 초기 투자 비용이 크고 유지 관리 비용이 높음

따라서, 자외선이나 녹색 파장의 고체 레이저를 이용한 결정화 연구가 진행 중임.

현재로는 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification) 방식이 양산 공정으로 채택 중

LTPS 공정용 레이저 파장 범위, 300~350nm가 적합

실리콘의 광학적 전이(optical transition?)이 적합한 에너지가 3.4~4.2eV, 대응되는 파장이 290~360nm

앞으로의 발전 방향;

고체 레이저 소스, line beam에서 spot beam으로, grain size 제어 기술...